[发明专利]具有局域底栅的晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110793111.2 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113690300A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 许海涛;高宁飞 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11859 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 北京市顺义区顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种局域底栅的晶体管及其制作方法，该晶体管包括衬底、低维半导体层、源极、漏极和局部底栅，局部底栅位于上述衬底上，局部底栅上具有一栅介质层，低维半导体层位于上述栅介质层上作为晶体管器件的沟道，源极和漏极位于低维半导体沟道的相对两侧，并分别与上述低维半导体层一个或多个部分接触；在上述源极、上述漏极以及所述沟道层上具有一过渡层和一静电掺杂层，该静电掺杂层中具有固定电荷，从而对其对应的低维半导体沟道层进行静电掺杂从而形成NMOS器件，同时还提出了上述晶体管的制作方法。本发明的晶体管具有热稳定性好、阈值电压精确可控，同时工艺具有兼容性，能够满足大规模碳基集成电路生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局域 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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