[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110795555.X | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115621249A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 于海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底的顶部形成有栅极结构，栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构的侧壁，栅极结构和第一层间介质层的顶部形成有刻蚀停止层，刻蚀停止层的顶部有第二层间介质层；在第二层间介质层中形成露出刻蚀停止层的第一开口，第一开口位于相邻栅极结构之间的第一层间介质层上方；在第一开口的侧壁形成阻挡层；形成贯穿第一开口底部的刻蚀停止层和第一层间介质层的第二开口；去除阻挡层；在第一开口和第二开口中形成导电插塞，导电插塞包括位于第一开口中的第一导电插塞、以及位于第二开口中的第二导电插塞。有利于提高第一导电插塞纵向尺寸的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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