[发明专利]一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图在审
| 申请号： | 202110795563.4 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115621274A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 初丹红;白玉芳 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 | 代理人： | 赵卿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种维持大功率MOS管衬底电位均匀的芯片版图，其特征在于：所述芯片版图中包括多排低压功率管、多排背栅管；其中，所述多排低压功率管与所述多排背栅管之间依次交替设置；所述多排背栅管中包括一排或多排第一背栅管和一排或多排第二背栅管，且第一背栅管和第二背栅管之间间隔的依次交替设置。本发明中的芯片版图，实现方式简单、代价小、效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 大功率 mos 衬底 电位 均匀 芯片 版图 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
