[发明专利]一种具有抗静电能力的外延片及其在发光二极管中的应用有效
| 申请号： | 202110797224.X | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113571611B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 朱涛;宋长伟;程志清;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 廖娜;李锋 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体领域，公开了一种具有抗静电能力的外延片及其在发光二极管中的应用，该外延片包括衬底以及依次沉积在其上的缓冲层、N型掺杂GaN层、电子缓冲层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，应力释放层为InGaN子层与GaN子层交替生长的周期性结构；在周期性结构中，InGaN子层的厚度为1～2nm，GaN子层的厚度范围为46~60nm；在应力释放层和多量子阱层中具有密度为6×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 抗静电 能力 外延 及其 发光二极管 中的 应用 | ||
【主权项】：
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