[发明专利]一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法在审
| 申请号： | 202110797458.4 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113539812A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 姜杰;张彪;姜楠;欧阳阔 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法，其包括：制备氧化铪基种子层前驱体溶液；制备铁电薄膜的薄膜前驱体溶液；用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层；在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液，对所述薄膜前驱体溶液进行处理后得到氧化铪基铁电薄膜。该方法是以一种与氧化铪基薄膜层完全相同的材料作为种子层，避免了以其他材料为种子层产生的元素扩散和界面死层，极大地增强了氧化铪基薄膜的铁电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同质 种子 调控 氧化 铪基铁电 薄膜 电学 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110797458.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
