[发明专利]无机基质纳米压印光刻体及其制造方法在审
| 申请号： | 202110798457.1 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113933921A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 朱塞佩·卡拉菲奥雷;饶婷玲;安基特·沃拉;彼得·托帕利安 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B27/01;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及无机基质纳米压印光刻体及其制造方法。本公开内容提供了高折射率陶瓷材料纳米压印光刻(NIL)光栅，以及制造和使用该光栅的方法，和包括这样的光栅的装置，该高折射率陶瓷材料纳米压印光刻(NIL)光栅与传统的NIL光栅相比具有相对较低量的碳。陶瓷材料包括氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钨、锌碲、磷化镓或其任何组合或衍生物中的一种或更多种。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 基质 纳米 压印 光刻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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