[发明专利]一种利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法有效
| 申请号： | 202110798585.6 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113564391B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王建华;陈文瑶;彭浩平;刘亚;苏旭平 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C21/04 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 213164 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法，利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法。首先在高于液相线以上某个温度下熔炼Al‑18Si过共晶铝硅合金，经过适当保温时间后将Al‑18Si合金熔体在炉中冷却到液相线温度665℃，在液相线温度保温适当时间，再快速升温至高于液相线温度，保温适当时间，重复以上步骤1‑5次，然后将Al‑18Si合金熔体在液相线以上某个温度浇注到室温金属铸型中快速凝固，细化并消除Al‑18Si过共晶铝硅合金中的初生硅。本发明不需要加入合金变质剂，也不需要采用其他复杂的处理工艺，操作简单，成本低廉，环保无污染，可有效消除过共晶铝硅合金凝固组织中的初生硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 体循环 过热 消除 共晶铝硅 合金 初生 方法 | ||
【主权项】：
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