[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110801194.5 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113540221A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 尹雪兵;李成果;葛晓明;曾巧玉;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 荣颖佳 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；外延层，与衬底的生长面连接，且外延层包括势垒层；第一绝缘介质层，位于外延层远离衬底的一侧，第一绝缘介质层由缺氧或缺氮化合物材料制作而成，缺氧或缺氮化合物材料的氧元素或氮元素低于理论化学计量比；第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层远离衬底的一侧，第二绝缘介质层由富氧或富氮化合物材料制作而成，富氧或富氮化合物材料的氧元素或氮元素等于或高于理论化学计量比；栅极，与第二绝缘介质层连接；源极与漏极，分别位于势垒层的两侧，且与势垒层、第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层连接。本申请具有阈值稳定性更好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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