[发明专利]集成的存储单元及存储阵列有效
| 申请号： | 202110803438.3 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113270128B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 袁庆鹏;蔡晓波;张思萌;张新龙 | 申请（专利权）人： | 上海亿存芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;H01L27/11 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成的存储单元，所述存储单元包括静态随机访问存储单元；非易失性存储单元，非易失性存储单元包括第一存储晶体管和第二存储晶体管；选通单元，选通单元包括第一选通NMOS管和第二选通NMOS管，第一选通NMOS管和第二选通NMOS管用于使所述非易失性存储单元内的数据加载至所述静态随机访问存储单元，采用第一选通NMOS管和第二选通NMOS管作为非易失性存储单元的控制管，节省了存储器的总体面积，兼容非易失性存储单元的擦除、编程和读取操作，静态随机访问存储单元和非易失性存储单元之间数据转移可靠性高。本发明还提供一种存储阵列，所述存储阵列包括至少一个所述集成的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 存储 单元 阵列 | ||
【主权项】：
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