[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 202110804673.2 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115621310A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 叶治东;廖文荣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括III‑V族化合物半导体层、III‑V族化合物阻障层、栅极沟槽以及P型掺杂III‑V族化合物层。III‑V族化合物阻障层设置在III‑V族化合物半导体层上。栅极沟槽设置在III‑V族化合物阻障层中。P型掺杂III‑V族化合物层设置在栅极沟槽中，且P型掺杂III‑V族化合物层的上表面与III‑V族化合物阻障层的上表面大体上共平面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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