[发明专利]一种HJT非晶硅镀膜后不良片的返工工艺在审
| 申请号： | 202110805357.7 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115621370A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 庄辉虎;许海堂;林烟烟 | 申请（专利权）人： | 福建钜能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351111 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺，其特征在于：所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺包含步骤：P1.1水洗、P1.2CP酸洗、P1.3预清洗、P1.4制绒、P1.5SC1液清洗、P1.6SC2液清洗、P1.7氢氟酸洗、P1.8慢提拉、P1.9烘干。该返工工艺先经硝酸及氢氟酸混合液的酸洗去除表面的非晶硅薄膜层，再经预清洗、制绒、SC1/SC2液的重新制绒清洗后，在返工硅片表面重新形成绒面。因此，该返工工艺可对镀非晶硅薄膜层后的不良片进行批量返工后重新投入生产，且生产的电池片电性能与正常流程片相当，A级良率高达98％。再者，工艺过程步骤简单，重新制绒时无多余化学品消耗，既提高生产良率，又减少化学品的消耗，实现了非晶硅不良片二次使用，全面降低了硅片原材料的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hjt 非晶硅 镀膜 不良 返工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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