[发明专利]可测量物质在超高压条件下的二次谐波的装置及其应用在审

专利信息
申请号: 202110805475.8 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN113567400A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 王永刚;姜德泉;李娜娜 申请(专利权)人: 北京高压科学研究中心
主分类号: G01N21/63 分类号: G01N21/63
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 邹欢
地址: 100094 北京市海淀区西*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种可测量物质在超高压条件下的二次谐波的装置,包括激光激发部,提供入射激光,并将入射激光转换为偏振光;显微光路部,改变所述偏振光的光路,至该偏振光聚焦到待测样品上,激发二次谐波并使该二次谐波沿入射激光原光路返回;载物部,包含金刚石对顶砧压机,以放置并固定待测样品;以及信号接收部,接收显微光路部中返回的二次谐波的激光信号并将该激光信号转换成电信号。通过该装置,在改变环境压力的情况下,排除外界干扰从而准确无误的采集粉末样品的二次谐波强度随压力的变化以及变压下单晶样品的二次谐波强度随入射激光极化角度的变化,最终实现在DAC内原位高压二次谐波测量。本发明还公开了测量物质在超高压条件下的二次谐波的方法。
搜索关键词: 可测量 物质 超高压 条件下 二次 谐波 装置 及其 应用
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