[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110805755.9 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115701209A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 白炅润 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 朱影 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底和叠层结构及电容单元，叠层结构包括支撑层；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖叠层结构的顶面；在第一掩膜层形成第一开口，第一开口暴露出叠层结构的顶面，其中，第一开口在衬底上的投影区域与电容单元在衬底上的投影区域至少部分重合；形成遮挡结构，遮挡结构位于第一开口中，遮挡结构覆盖第一开口的侧壁；根据遮挡结构定义的图案，去除部分支撑层，被保留的部分支撑层形成电容单元的支撑结构。在本公开中，仅保留遮挡结构覆盖的部分支撑层的作为支撑结构，减少支撑结构在半导体结构中占用的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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