[发明专利]一种IWO靶材及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202110805830.1 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN113548872A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 刘永成;陈明飞;郭梓旋;徐胜利;江长久;陈明高;莫国仁;王志杰;李跃辉 申请(专利权)人: 长沙壹纳光电材料有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/622;C23C14/35;C23C14/08;H01L31/18
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 肖云
地址: 410000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种IWO靶材及其制备方法与应用,该靶材IWO靶材包含氧化铟和氧化钨;所述氧化钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.1~0.15;所述IWO靶材的密度为6.5g/cm3~7.18g/cm3。本发明的IWO靶材,导电性好且透光率高;同时还解决镀膜过程中产生中毒结瘤问题而异常放电而造成生产效率低的问题;将本发明的靶材应用于太阳能电池中,提升了太阳能电池转化效率。
搜索关键词: 一种 iwo 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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