[发明专利]一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法有效
申请号: | 202110806618.7 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113529056B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 张建星;郑礼英 | 申请(专利权)人: | 中科微光子科技(成都)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/458 |
代理公司: | 成都言成诺知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51314 | 代理人: | 幸凯 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及无源器件自动加工领域,具体是涉及一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法,包括工作台、反应腔、固定组件、旋转组件和制备机构,将半导体衬底放入其中一个反应腔中,通过固定组件使得半导体衬底无法移动,通过反应腔提供制备的密闭空间,同时启动旋转组件和第一制备组件,旋转组件驱动固定组件转动,第一制备组件在反应腔充入化学气体,在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层,完成后将半导体衬底取出放入另一个反应腔内,通过第二制备组件在反应腔充入化学气体,在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层,从而获得无源器件样品,操作简单,同时两个反应腔分别制备,提高了制备的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用以 制备 无源 器件 自动化 设备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的