[发明专利]集成SBD的碳化硅器件及制备方法

摘要

本发明公开了集成SBD的碳化硅器件及制备方法，包括：N+衬底，所述N+衬底的底部设置有与N+衬底底部连接的第三金属层，所述第三金属层作为漏电极；N‑外延层，所述N+衬底的顶面连接至N‑外延层；第一金属层，所述第一金属层覆盖在N‑外延层的左侧；第二金属层，所述第二金属层覆盖在N‑外延层的右侧，且第一金属层与第二金属层表面形成肖特基接触；第一P+注入区，所述第一P+注入区连接至N‑外延层及第一金属层；第二P+注入区，所述第二P+注入区连接至N‑外延层、第一金属层及第二金属层。本发明结构新颖，构思巧妙，通过在JTE终端内部和外部分别加入P+注入区来抑制单JTE结构对剂量的敏感性，有效降低了FJ器件对JTE剂量的敏感性。