[发明专利]一种铌合金溅射靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202110807705.4 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113584366B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 方宏;张雪凤;孙虎民 | 申请（专利权）人： | 洛阳高新四丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/04;C22C27/02;B22F3/04;B22F3/15;B22F3/18;B22F3/24;B22F3/093;B22F1/12 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 宋晨炜 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳市中国（*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌合金溅射靶材及其制备方法，铌合金溅射靶材中含铌元素40~80份、钛元素20~60份；铌合金溅射靶材的制备方法为：将铌粉、钛粉、活性碳粉在保护气体作用下充分混合均匀得到混合粉末；然后将混合粉末装入胶套内，进行冷等静压成型，得到坯体；之后将坯体装入包套并进行真空除气，对除气后的包套进行热等静压处理，得到烧结坯；将烧结坯在保护气氛下加热，然后热轧、校平、退火，得到铌合金板坯；最后对铌合金板坯进行磨削加工，即得到铌合金溅射靶材。采用该方法生产的铌合金溅射靶材，纯度高，晶粒细小，可以用于制作在TFT‑LCD制程中与铜膜层配套使用的过渡层材料，在耐蚀性、热稳定性等方面与铜膜层具有良好的匹配性，改善TFT‑LCD制程中的不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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