[发明专利]处理腔室的漏率侦测方法和装置有效
申请号: | 202110808122.3 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113539903B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 李想 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 屈蓓;刘芳 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例提供一种处理腔室的漏率侦测方法和装置,该方法包括:在处理腔室中,对固定在静电吸盘上的基板进行加工处理之后,通过氩气等离子体释放静电吸盘与基板之间的电荷;在释放电荷的过程中,实时获取处理腔室中官能基的发射光谱,发射光谱用于确定官能基的波长和强度之间的关系;根据发射光谱确定波长在640纳米至660纳米之间的第一强度和波长在490纳米至510纳米之间的第二强度;计算第一强度与第二强度的比值,侦测处理腔室的漏率。由于释放电荷是生产基板过程中不可缺少的步骤,从而不需要停止生产基板,不会影响基板的产量。此外,在检测到生产一个基板的漏率异常时可以避免继续生产下一个基板,可以降低基板的报废率。 | ||
搜索关键词: | 处理 侦测 方法 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造