[发明专利]一种具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110810445.6 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113658998A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 费新星;王勇;孙彪;韦玮;张兴稳 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 岑丹 |
| 地址： | 225001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括源极、漏极、栅极、钝化层、势垒层、沟道层、缓冲层、衬底和沟槽源极场板；其中，所述沟槽源极场板位于钝化层中，所述沟槽源极场板与源极相连，所述沟槽源极场板位于源极与栅极之间或者栅极与漏极之间。本发明在器件工作时受到HPM应力在栅极出现耦合电压时，减小栅极处的电流，减小由于HPM应力产生的高电压和高电流造成的高温，提高器件发生烧毁的耦合电压，延迟器件发生烧毁的时间，提高器件抗HPM加固特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 源极场板 algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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