[发明专利]一种高速高增益的雪崩光电探测器及制备方法

摘要

本公开提供了一种高速高增益的雪崩光电探测器及其制备方法，其芯片包括由上至下设置的三级台阶；其中：第一级台阶，包括由上至下依次设置的P电极、第一欧姆接触层、第一吸收层和第二吸收层上部；第二级台阶，包括由上至下依次设置的第二吸收层下部、过渡层、第一电荷层、倍增层、第二电荷层、渡越层和第二欧姆接触层上部；第三级台阶，包括由上至下依次设置的第二欧姆接触层下部和绝缘衬底；所述三级台阶的水平投影面积依次增大。所述芯片倍增层采用超薄InAlAs材料。所述三级台阶芯片倒扣键合在基片上。