[发明专利]一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构有效
| 申请号： | 202110811662.7 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113644046B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张光明;王延;华毅;陈登兵;蒋达;朱云康 | 申请（专利权）人： | 太极半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/50;H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 潘志渊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构，包括存储区和围绕所述存储区的边缘区；边缘区功能层包括覆盖所述边缘区的所述缓冲绝缘层、所述第一介电层以及所述第二介电层，其中所述边缘区功能层中的至少一层，沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大；增加了容纳有机层的体积，可有效的防止有机层材料向外扩散溢出。同时将边缘区功能层的上表面与挡墙的夹角配置成较大的角度，有利于在采用喷墨打印的方式形成有机层时，有机层材料能够完全浸润其夹角，防止产生空气隙，大大提高了封装信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 芯片 边缘 封装 工艺 及其 结构 | ||
【主权项】：
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