[发明专利]容双节点翻转的SRAM存储单元在审
| 申请号： | 202110811803.5 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113593621A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘中阳;肖军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417;G11C7/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种容双节点翻转的SRAM存储单元。包括：锁存电路和传输电路，锁存电路包括八个反相器，八个反相器依次相连形成环形通路；当前反相器的输出端，与当前反相器的前一反相器第一输入端相连，形成当前反相器的存储节点；传输电路包括八个传输MOS管，任意一个传输MOS管对应连接一反相器的存储节点，且各个存储节点，按照环形通路的连接方向，通过对应传输MOS管依次交替地连接第一位线和第二位线；八个传输MOS管均连接字线，通过字线控制传输MOS管的导通；当前反相器的前一反相器第二输入端，连接当前反相器的在前第m个反相器输出端，在前第m个反相器的存储节点与前一反相器的存储节点共同连接同一位线。 | ||
| 搜索关键词： | 节点 翻转 sram 存储 单元 | ||
【主权项】：
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