[发明专利]一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法在审
| 申请号： | 202110816844.3 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113451153A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 夏乾华 | 申请（专利权）人： | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法。通过提供中空灌注高比热容物质作为半导体集成电路或模块封装的金属封装外壳，进而在其基础上进行封装，此方法可以支持提高大功率集成电路模块半导体或模块成品的PD耗散功率,提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 集成电路 半导体 模块 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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