[发明专利]一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构有效
| 申请号： | 202110817629.5 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113594096B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 邱定中 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构，该制备方法包括：提供基底，基底表面具有多个盲孔或沟槽；于多个盲孔或沟槽内形成填充层，填充层的顶面与基底的顶面平齐；于填充层的顶面和基底的顶面上形成覆盖层；其中，覆盖层包括至少一个叠层结构，一个叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且第一覆盖层的掺杂材料源和第二覆盖层的掺杂材料源不同。这样，采用包含第一覆盖层和第二覆盖层的叠层结构实现覆盖层，不仅能够避免沉积过程中的应力累积问题，而且改善了覆盖层的均匀度和表面粗糙度，还能够平衡结构阻值，从而提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 电容 | ||
【主权项】：
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