[发明专利]红光发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110820728.9 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113725333B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种红光发光二极管芯片及其制备方法。该红光发光二极管芯片包括：基板、p型层、多量子阱层、n型层、钝化层、n型电极和p型电极；p型层、多量子阱层和n型层依次层叠在基板上，n型电极位于n型层表面，n型层的中部具有露出p型层的第一凹槽，p型电极位于p型层表面，且位于第一凹槽的底面；钝化层至少覆盖n型层、第一凹槽、p型层的表面；钝化层远离基板的表面具有第二凹槽，第二凹槽的底面在基板的正投影，与多量子阱层在基板的正投影不重叠。本公开实施例能够有效避免分选红光发光二极管时，外延结构被顶针冲击而损伤的问题，提高良率并降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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