[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜

摘要

本发明公开一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜；金属镓经过膜氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物；将硅片‑氧化镓膜‑二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜。本发明的有益效果在于：本发明基于氮化硼的稳定性、绝缘性和对激子发光性能的促进作用，以二维氮化硼与衬底为模板，在二维氮化硼与衬底间限域性生长氮化镓，钝化氮化镓的高能面，形成稳定二维氮化镓结构。