[发明专利]半导体器件、存储单元及其形成方法在审
| 申请号： | 202110824255.X | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113555501A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;李东颖;涂元添;邱荣标 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储单元包括底部电极、存储元件、间隔件、选择器及顶部电极。存储元件位于底部电极上且包括第一导电层、第二导电层及储存层。第一导电层电连接到底部电极。第二导电层位于第一导电层上，其中第一导电层的宽度小于第二导电层的宽度。储存层位于第一导电层与第二导电层的中间。间隔件位于第二导电层及储存层旁边。选择器设置在间隔件上且电连接到存储元件。顶部电极设置在选择器上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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