[发明专利]一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置在审
| 申请号： | 202110824913.5 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115700902A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 黄鑫;王士欣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置，包括：提供衬底，所述衬底内具有多个隔离区，所述隔离区于所述衬底隔离出若干个有源区；同时对所述有源区和隔离区进行第一次蚀刻，以形成第一接触通孔，所述第一接触通孔底部于有源区位置处形成凸起有源区；沉积第一介质层，覆盖所述第一接触通孔的侧壁和底部；对第一接触通孔底部进行第二次蚀刻，形成具有目标深度的接触结构。通过往第一接触通孔底部回填第一介质层，再次蚀刻达到目标深度，降低第一接触通孔底部在不同介质层面的高低差，避免后续需要填入接触结构的导电材料无法完全填满的问题，提高后续形成的半导体结构的电性能，进而提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 结构 形成 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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