[发明专利]基于P区和I区渐变掺杂的4H-SiC PIN微波二极管及制作方法有效
| 申请号： | 202110824970.3 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113555418B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周弘;苏春旭;张进成;刘志宏;许晟瑞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;张问芬 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于P区和I区渐变掺杂的4H‑SiC PIN二极管，主要解决现有技术无法实现低导通电阻和低结电容的问题。其自下而上包括n型衬底(1)、n+层(2)、i层(3)和p+层(4)，衬底的下部设有阴极(5)，p+层的上部设有阳极(6)，阳极的上部设有钝化层(7)，其中，所述i层(3)采用由n层组成的多层结构，且各层由掺杂浓度线性递减的4H‑SiC半导体材料构成；所述p+层(4)采用由m层组成的多层结构，且各层由掺杂浓度线性增的4H‑SiC半导体材料构成。本发明能同时实现低导通电阻与低零偏结电容，可加快PIN二极管的响应速度，提高截止频率，可作为微波二极管适用于微波限幅电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 渐变 掺杂 sic pin 微波 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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