[发明专利]忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110825496.6 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113555502A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;孟艳芳;马寅佶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括第一银线、第二银线和绝缘层，所述绝缘层为氧化银，所述绝缘层被夹在所述第一银线和所述第二银线之间。忆阻器的制备方法包括提供所述第一银线和所述第二银线，对所述第一银线和/或所述第二银线进行表面处理，得到所述绝缘层，将所述第一银线和所述第二银线叠放，形成依次排列的银线、绝缘层、银线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110825496.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
