[发明专利]存储元件、存储元件阵列及存储元件的驱动方法在审
| 申请号： | 202110829499.7 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113990871A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 白昌基;金佳暎;孔炳敦;金向佑 | 申请（专利权）人： | 浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;G11C11/4067 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 习瑞恒;李盛泉 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储元件、存储元件阵列及存储元件的驱动方法。提供一种包括双PN结的存储元件及其驱动方法，其特征在于，包括：包括至少一个双PN结的半导体层；以及同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。另外，提供一种包括双PN结和控制栅的无电容器存储元件及其驱动方法，其特征在于，包括：包括至少一个双PN结的半导体层；与所述半导体层相接的控制栅；以及同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 阵列 驱动 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
