[发明专利]存储器件和形成三维（3D）存储器件的方法

摘要

形成三维(3D)存储器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件，该层堆叠件具有第一导电材料和第一介电材料的交替层；形成沟槽，该沟槽从层堆叠件的远离衬底的上表面垂直延伸穿过层堆叠件至层堆叠件的面向衬底的下表面；用存储器膜内衬沟槽的侧壁和底部；在存储器膜上方形成沟道材料，该沟道材料包括非晶材料；在形成沟道材料之后，用第二介电材料填充沟槽；在第二介电材料中形成存储器单元隔离区域；在存储器单元隔离区域的相对侧上形成在第二介电材料中垂直延伸的源极线(SL)和位线(BL)；以及在形成SL和BL之后，使沟道材料的第一部分结晶。本申请的实施例还涉及存储器件。