[发明专利]制造相变化记忆体的方法与相变化记忆体组件有效
| 申请号： | 202110833924.X | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113782672B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 甘东;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10;H10B80/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制造相变化记忆体的方法与相变化记忆体组件。制造相变化记忆体的方法包含以下操作：形成第一晶圆，其中第一晶圆包含绝缘体上半导体结构；形成一记忆体材料层于绝缘体上半导体结构上；形成第一金属材料层于记忆体材料层上，以形成第一半导体组件。本发明具有制程简单、低成本的优势，并可降低制造成本及提升制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 记忆体 方法 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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