[发明专利]带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源有效
| 申请号： | 202110834943.4 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113359929B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 乔仕超;刘鑫;武鹏;杨平;牛义;廖志凯;齐旭 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源，涉及集成电路技术，本发明的带隙基准电路包括：第十六MOS管，其栅端接第五参考点，电流输入端接高电平，电流输出端接第十七MOS管的电流输入端；第十七MOS管，其栅端接第四参考点，电流输出端接基准输出端；第三三极管，其电流输入端接基准输出端，电流输出端接地，基极接第六参考点，基极和电流输入端之间通过一个电容连接；第二三极管，其电流输入端通过第二电阻接基准输出端，基极作为第七参考点连接电流输入端，其电流输出端接地；第一三极管，其电流输入端接第六参考点，基极接第七参考点，电流输出端通过第一电阻接地。本发明能够在宽电源范围内工作，并且具备很高的电源抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电路 失调 电源 抑制 | ||
【主权项】：
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