[发明专利]高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202110836071.5 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113666737A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 岳振星;马志宇;郭蔚嘉;骆宇;陈雨谷 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/50;C04B35/622;C04B35/64;H01P1/20;H01P7/10 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷，其介电常数为78～80，Q×f值为13900～15200GHz，谐振频率温度系数为‑5～+5ppm/℃。在维持较高介电常数和近零谐振频率温度系数的同时提高微波介质陶瓷的Q×f值，实现介电性能指标的协同改善。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 损耗 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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