[发明专利]减少交叉开关阵列电路中的潜电流通路在审
| 申请号： | 202110836860.9 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113851163A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 尹文博;葛宁 | 申请（专利权）人： | 特忆智能科技 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 祝乐芳 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州纽瓦克市中央*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开公开了一种采用nTnR设计从而减少潜电流通路和面积大小的交叉开关阵列电路技术。一种示例性交叉开关阵列电路包括：第一晶体管，包括第一源极，第一漏极，和第一栅极；第一RRAM组件，连接至所述第一晶体管的第一源极；第二晶体管，包括第二源极，第二漏极和第二栅极；第二RRAM组件，连接至所述第二晶体管的第二源极；字线，连接至所述第一晶体管的所述第一漏极和所述第二晶体管的所述第二漏极；第一位线，连接至所述第一RRAM组件；第二位线，连接至所述第二RRAM组件，其中所述第一晶体管的第一栅极被配置为连接至第一选通式电压源，所述第二栅极被配置为连接到第二选通式电压源。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 交叉 开关 阵列 电路 中的 电流 通路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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