[发明专利]一种TOPCon太阳能电池及制造方法在审
申请号: | 202110840840.9 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113471321A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 许佳平;张文超;王文科;曹育红;符黎明 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种TOPCon太阳能电池及制造方法,所述TOPCon太阳能电池包括:N型硅片,所述N型硅片的背面设置有第一钝化接触区和第二钝化接触区,所述第一钝化接触区的钝化层的厚度大于第二钝化接触区的钝化层的厚度。本发明通过在N型硅片的背面设置第一钝化接触区和第二钝化接触区,第一钝化接触区的钝化层的厚度大于第二钝化接触区的钝化层的厚度,使得第一钝化接触区具有良好的金属接触,保证多数载流子的有效传输,提高了TOPCon太阳能电池的短路电流,而第二钝化接触区的钝化层的厚度较薄,大大降低了TOPCon太阳能电池背面的吸光能力,从而有利于提高TOPCon太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 topcon 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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