[发明专利]离子注入装置及离子注入方法在审
申请号: | 202110841079.0 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113571402A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 黄家明 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/147 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 罗磊 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种离子注入装置及离子注入方法,其中,所述离子注入装置包括:离子发生模块,用于产生离子,所述离子至少包括目标离子和重离子;筛选模块,用于对所述离子施加偏转磁场,以筛选需要注入的离子;角度调节模块,包括第一偏转电场和第二偏转电场,其中,所述第一偏转电场设置于所述偏转磁场的入口处,以使所述离子垂直或倾斜进入所述偏转磁场;所述第二偏转电场设置于所述偏转磁场的出口处,以调整通过所述偏转磁场的离子的运动方向。本发明在筛选模块的入口处和出口处分别设置了第一偏转电场和第二偏转电场,使离子垂直或倾斜进入偏转磁场,改善了离子注入机台对于重离子的筛选能力,扩大了离子注入机台的适用范围。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】:
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