[发明专利]一种采用辐照技术制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110842871.8 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113421828A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄宏嘉;牛崇实;林和;洪学天 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/263;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用辐照技术制造半导体器件的方法，包括：在硅晶片中形成基极区和发射极区，在所述硅晶片的表面形成钝化薄膜层以及金属化层和合金化层；对所述硅晶片进行切割和器件分离，将分离的器件固定在基座上，并进行引线焊接处理，形成晶体管；对所述晶体管进行辐射处理；将聚酰胺酸施加到晶体管的表面；采用第一预设温度在第一预设时间内对所述晶体管进行第一阶段的聚合；采用第二预设温度在第二预设时间内对所述晶体管第二阶段聚合；所述第二预设温度高于所述第二预设温度；对所述晶体管的辐射缺陷进行退火处理，制备出具有抗辐射性能的半导体晶体管。该方法制备的器件工艺简单价格成本低，根据实验数据，其耐辐射性抗辐射行效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 辐照 技术 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
