[发明专利]一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110845853.5 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113540297A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 单志远;郑洪仿;杨杰;谭伟翔;陈国津 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;B08B7/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片及其的制备方法，所述制备方法包括：S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；S2、去除发光结构上的衬底，将第一半导体层裸露出来；S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构，并对第一半导体层进行氧化和粗化，以形成图型化氧化膜；S4、采用蚀刻溶液蚀刻第一半导体层，形成宽度为1～2μm、深度为2～3μm的尖状体，所述尖状体将光线以散射光的形式从发光结构的出光面出射。本发明的制备方法简单，可防止应力过大的问题，有效提高芯片的良率高，所述制得的芯片亮度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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