[发明专利]用于大规模集成芯片内单个器件的抗辐照能力的分析方法在审
| 申请号： | 202110848059.6 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113589143A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王中旭 | 申请（专利权）人： | 陕西君普新航科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 | 代理人： | 侯峰;韩素兰 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市西咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于大规模集成芯片内单个器件的抗辐照能力的分析方法，将完整的大规模集成电路芯片，开盖去封装，通过机械研磨和化学刻蚀，逐层剥离钝化层、金属互连线，获得器件外露的裸芯片；将所述器件外露的裸芯片置于Co60γ射线源电离辐射环境中，测试其电学特性；采用聚焦离子束，将器件外露的裸芯片进行切割，分离出芯片内部典型器件，并生长引线，获得隔离的单个器件测试系统；将所隔离的单个器件测试系统置于Co60γ射线源电离辐射环境中，测试其隔离状态下单个器件的电学特性。本发明直接测量裸芯片整体的辐照损伤，能够直接测量芯片内部单个器件辐照损伤电学性能，能够直接测试目标器件的辐照损伤特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 大规模 集成 芯片 单个 器件 辐照 能力 分析 方法 | ||
【主权项】：
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