[发明专利]增强型GaN HEMT双向阻断功率器件在审
| 申请号： | 202110848082.5 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594246A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王中旭 | 申请（专利权）人： | 陕西君普新航科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 | 代理人： | 侯峰;韩素兰 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市西咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型GaNHEMT双向阻断功率器件，该器件包括自下而上包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极，所述衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层由下到上依次设置，所述势垒层的上部分别设置源极和漏极，所述栅极和源极之间设置有刻蚀结构，所述漏极采用肖特基接触。本发明在栅源之间做了刻蚀，可以增加栅源电阻，让更高栅压降落在栅源之间，从而需要更高栅压来开启栅下方，即提高了阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 gan hemt 双向 阻断 功率 器件 | ||
【主权项】：
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