[发明专利]碳化硅晶碇的制造方法在审
| 申请号： | 202110850977.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113981529A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林钦山 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/36;C30B28/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶碇的制造方法，包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的晶种于反应器内，其中晶种的第一面朝向原料；加热反应器以及原料，其中部分原料被气化后传输至晶种的第一面以及晶种的侧壁上并形成碳化硅材料于晶种上，以形成包含晶种以及碳化硅材料的成长体，其中成长体沿着晶种的径向生长，且成长体沿着垂直晶种的第一面的方向上生长；以及冷却反应器以及原料，以获得碳化硅晶碇，其中碳化硅晶碇的直径大于晶种的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
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