[发明专利]一种半导体衬底、半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110851191.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115692508A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 罗浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体衬底、半导体器件及其制作方法，半导体衬底包括底部半导体层、依次位于底部半导体层上的埋入绝缘层、背栅层、背栅氧化层和顶部半导体层，其中，背栅层包括半导体层和/或功函数层，基于此，可以通过调节半导体层的掺杂浓度和/或掺杂类型，和/或，调节功函数层的功函数值，和/或，向背栅层施加偏置电压，来调节在半导体衬底上形成的晶体管的阈值电压。与对底部半导体层进行掺杂和/或施加偏置电压的方式相比，本发明中在埋入绝缘层和顶部半导体层之间形成背栅层的方式，并不会对底部半导体层产生影响，从而不会降低底部半导体层的电阻率，进而使得采用本发明提供的半导体衬底的高频半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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