[发明专利]碳化硅材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110852661.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990752A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林钦山 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种碳化硅材料的制备方法，所述方法包括以下步骤。对于晶片或是晶体执行第一退火工艺。所述第一退火工艺的条件包括：使用10℃/分至30℃/分的升温速率，于2000℃以下的退火温度及大于2分钟且小于4小时的恒温退火时间执行所述第一退火工艺。在执行所述第一退火工艺之后，所述晶片或所述晶体的平均电阻率大于10 |
||
| 搜索关键词： | 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆股份有限公司，未经环球晶圆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110852661.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有机械致动的离合器/制动器组件的动力致动器单元
- 下一篇：摄像镜头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
