[发明专利]一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法在审
| 申请号： | 202110853449.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113690238A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李聪;李高鹏;郭增光;汤正光;李振荣 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02;H01L27/11;H01L21/8238;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法，采用多层堆叠工艺将PMOS与NMOS堆叠在同一区域内，同时提升有效沟道宽度，增强栅控能力。因此本发明可以实现高度集成、减小CMOS电路面积，提高系统集成度，从而降低超大型集成电路成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 纳米 结构 sram 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
