[发明专利]一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法有效
| 申请号： | 202110854339.8 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113589205B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 谢丽娜;沈茂康;聂彦;张悦;王韬;王鲜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 夏倩 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 衍射 效应 探测 界面 dm 作用 强度 方法 | ||
【主权项】：
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