[发明专利]单晶制造装置和单晶的制造方法在审
| 申请号： | 202110856124.X | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114000188A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 舆公祥 | 申请（专利权）人： | 诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/08 | 分类号： | C30B15/08;C30B15/02;C30B15/14;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种不使用坩埚就能够制造大型的单晶的单晶制造装置和使用了该装置的单晶的制造方法。提供一种单晶制造装置，是从晶种向上方生长单晶的单晶制造装置，具备：隔热空间，其是与装置外的空间隔热的；感应加热用线圈，其设置在隔热空间的外侧；隔热板，其将隔热空间划分为包含用于培育单晶的晶体培育区域的第1空间和其之上的第2空间，在晶体培育区域的上方具有孔；加热体，其设置于第2空间，通过使用了感应加热用线圈的感应加热而发热，对隔热空间内进行加热；以及支撑轴，其用于从下侧支撑晶种且使晶种能在上下方向移动。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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