[发明专利]去除静电聚集的显影方法在审
| 申请号： | 202110856795.6 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113534622A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨伟;姜冒泉;费志平;谷云鹏;吴长明;姚振海;陈骆 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;H05F1/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种去除静电聚集的显影方法。去除静电聚集的显影方法包括以下步骤：向曝光后的基片表面喷淋预润液，使得基片上的光刻胶层进行预润湿；使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得显影液与基片感光区的光刻胶层发生反应；使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得清洗液去除反应后的显影液，和残留在感光区中的光刻胶；使得清洗后的基片以第三转速低速旋转，向以第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水，使得去离子水带走基片表面形成的静电电荷；甩干基片表面的去离子水。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 静电 聚集 显影 方法 | ||
【主权项】：
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