[发明专利]一种钙钛矿结构BNT/LNO异质外延薄膜的制备方法在审
申请号: | 202110857762.3 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN115677342A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 王根水;杨柱;郭少波;董显林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/50;C04B35/622 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种钙钛矿结构BNT/LNO异质外延薄膜的制备方法。所述钙钛矿结构BNT/LNO异质外延薄膜的制备方法包括:(1)将镍酸镧前驱体溶液旋涂在单晶衬底表面,然后在600~800℃下退火3~60分钟,得到LNO导电氧化物薄膜;(2)将钛酸铋钠前驱体溶液旋涂在LNO导电底电极薄膜表面,然后在600~800℃下退火3~60分钟,得到所述钙钛矿结构BNT/LNO异质外延薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 结构 bnt lno 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
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